本文主要介绍的是关于R2000芯片的架构分析，着重对R2000芯片进行了描述，并推荐一款性能优良的国产超高频射频芯片苏州英诺迅YP3236W在读写器的应用。

R2000芯片

R2000芯片是一款高性能UHF频段的超高频读写器芯片，它集成了混频器、增益滤波器、压控振荡器、锁相环、模数/数模转换器等模拟前端，并且内置了ISO/IEC 18000 6C的完整协议处理系统。外部控制器仅需通过8位并口或者SPI口即可实现对R2000芯片的所有通信和控制。

超高频载波信号的通信频率为840 MHz-960 MHz，R2000芯片集成了VCO、预分频器、主除法器、参考除法器、鉴相器和电荷泵，外围电路只要提供一个环路滤波器即可组成一个完整的锁相环(PLL)电路。PLL的输出频率由参考除法器的设定值和主除法器的乘积决定。电荷泵(CP)的主要作用是将数字逻辑脉冲转换为模拟电流。CP信号经过低通滤波器反馈到VCO引脚用来调整振荡器频率精度。为了获得稳定的VCO调谐电压，外部的环路滤波电路特别重要，它起到了维持环路稳定性、控制环路带内外噪声、防止VCO调谐电压控制线上电压突变、抑制参考边带杂散干扰等重要作用。

为了增加超高频读写器的最远距离读取，还需要对其发射功率进行检测。发射功率太大不仅会引起失真，还容易泄露到接收端形成干扰，所以一旦功率检测器件监控到大于设定功率时，通过主控制器数字PID和DAC把微调量加载到射频功放芯片的二三级电压控制端，使得发射功率可控。

基于超UHF频段的远距离超高频读写器，随着数据传输和分辨率的要求提高，MCU主控制器可以不断升级，以适应事务控制的扩充和处理速度的提高。

基于R2000芯片的读写器架构分析

1 读写器系统框图
基于R2000的读写器系统结构如图1所示，其中控制器采用ARM7内核处理器，除了R2000的一些必要外围元件，系统和天线之间必须加环行器以满足单天线应用，TX口还必须加功放模块。根据读写器的系统框图，主要器件选型如下：

2. RFID宽频环行器HYG504XX

作为单天线应用的收发隔离，环形器一般用亚铁磁性复合材料制成，这种材料具有各向异性的特点，环形器为三端口器件，端口1为输入，端口2为输出，端口3为隔离端口，能量几乎不能穿过，以此类推，一般UHF读写器上用环形器使信号按顺时针方向流通，当端口1为TX输出时，RF信号会从端口2流过，而端口3即RX端口为隔离端，具体隔离度需参考器件参数和LAYOUT效果；相反，当端口2作为收发复用端接收信号时，信号会按顺时针方向进入端口3，此时泄露到TX端口的能量非常小，可以忽略，而TX泄露到RX端口的能量很大程度上影响着接收机灵敏度即实际识别效果，因此需根据接收端LNA参数，在RX端加衰减器对TX泄露信号进行有效隔离，但由此产生一个问题，因为RX接收的有用信号本身就很少，在进行TX端泄露信号衰减的同时，RX端有用信号也被进一步削弱，因此也会影响到LNA的接收，因此，用环形器做收发隔离只能在一定程度上产生效果，对于TX输出功率给定且：ERP不超过相关规定的情况下，要提高接收机灵敏度，必须考虑增大收发两路的隔离度，视具体需求而定。

3 .射频开关HMC174

用来控制射频输出的通断。在900 MHz频段内，输入的1 dB压缩点可以达到39 dBm，充分保证了HMC174可以承受输入很高的射频功率。输入3阶截取点可达到60 dBm，而前一级频率合成器的输出功率在3 dBm以内，因而保证了信号通过射频开关后的高线性度，最大限度地减少了射频信号的失真。

4.射频功率放大器YP3236W

YP3236W用做放大R2000的TX端输出信号，使其满足最大功率的输出要求。YP3236W的主要特性为：高增益：三级放大，输入功率0 dBm；高效率：输出功率在36dBm时可达46％；增益控制范围宽：典型值可达32dB（图二：英诺迅YP3236W基本参数）。

5.射频数控衰减器HMC273
HMC273用做衰减R2000的TX端输出信号，功率校正用。

6. Impinj Indy R2000 UHF RFID读写器芯片

R2000是新一代UHF频段RFID读写器SoC芯片，符合EPC global UHF Class 1 Gen 2／ISO 18000-6C国际标准，内部集成ASK调制解调器、滤波器、功放、FPGA等模块。

7. 微处理单元AT91SAM7S256

该器件是32位微控制器，大大提升了微控制器的实时性能，整合了全套安全运行功能，包括由片上RC振荡器计时的监视器、电源以及闪存的硬件保护等。此外，该器件在最差条件下可以30 MHz的速度进行单时钟周期访问。